(1)利用液体材料制成硅薄膜。
2006年4月6日，日本精工爱普生公司研发本部研究员下田达也领导的研究小组，在英国《自然》科学杂志上发表研究成果称，他们使用液体材料成功地制成硅薄膜。使用这种硅薄膜的低温多晶硅薄膜场效应晶体管的电子迁移率，高达108厘米2／Vs，实现了和过去利用化学气相沉积法形成的薄膜场效应晶体管相同的性能。
由于使用的是液体材料，因此该薄膜很大的一个特点，就是能够利用涂布方式形成。不需要真空设备和无尘操作室等造价昂贵的设备。新的薄膜场效应晶体管，就是利用旋镀方式进行涂布形成的。
(2)开发出超薄型电磁噪音吸收膜。
2006年4月，日本住友公司开发出，面向手机以及数码相机等小型数字设备的，超薄电磁噪音吸收膜“超薄噪音抑制膜”。它可以吸收在组合模块部件、量产试制*终产品等阶段发现的电磁噪音。由于包括粘接剂在内的抑制膜整体，厚度控制在0．08毫米，因此适用于便携式高性能设备。
该产品采用，向超薄柔软的树脂层中，高密度填充磁性填充剂、分层涂覆丙烯酸类粘接剂的结构。可吸收10M～3GHz的大泛围电磁噪音，并将其转化为微小热量，从而确保流经柔性电路板的信号传输质量。
数字设备正在趋向于设计模块化，每个模块部件都要求做到包括电磁噪音在内的**化。然而，当把数个模块部件组合起来成为*终产品时，有时会产生设计阶段所预料不到的电磁噪音等。这时就要使用电磁噪音吸收片。这种新型电磁噪音吸收片，以超薄为卖点，预计在超小、超薄以及多功能和高性能、高密度设计的设备领域，存在很大需求。
(3)开发出砷化铟二维半导体量子膜。
2011年1 1月，美国加利福尼亚大学伯克利分校的阿里·杰维领导的研究小组，在《纳米快报》上发表论文称，他们开发出一种全新的二维半导体，这是一种由砷化铟制造的“量子膜”，具有带状结构，只需简单地减小尺寸就能从块状三维材料转变为二维材料。
当半导体材料的尺寸小到纳米级，它们在电学和光学方面的性质就会发生极大改变，产生量子限制效应，由此人们可以制造出被称为量子膜的二维晶体管。量子膜约为10纳米或更少，其运行基本上被限制在一个二维空间中。由于这种独特的性质，它们能在高度专业化的量子光学与电子应用领域大展所长。
目前，二维半导体方面的研究，大部分要用到石墨烯类的材料。杰维研究小组通过另一种途径，制造出砷化铟“量子膜”。而且，新量子膜可以作为一种无需衬底的独立材料，能和各种衬底结合，而以往其他同类材料只能用于一种衬底。
他们先在锑化镓和锑化铝镓衬底上，生长出砷化铟，把它置于顶层，并设计成任何想要的样子，然后将底层腐蚀掉，把剩下的砷化铟层移到任何需要的衬底上，制成*终产品。
