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纳米杂化聚酰亚胺的耐电晕性能研究现状

点击次数:999    发布日期:2013-07-18   本文链接:http://www.pibomo.com/news/88.html

      对于耐电晕聚酰亚胺薄膜的研究首当其冲的是美国杜邦公司DuPont与ABB、Siemens合作于1995年研制出耐电晕聚酰亚胺薄膜Kaptonl00CR,这种耐电晕薄膜的良好的耐电晕性引起了各国学者的广泛关注.据文献报道,Kapton 100 CR采用50—500 nm的气相氧化铝填充PI薄膜,这种新型薄膜在基本保持原有100HN薄膜各项优异性能的同时,耐电晕能力有了显著的提高,在6OHz、20kV/mm的交变电场作用下,其寿命超过10 h(超过11年半),而原始聚酰亚胺薄膜100 HN只有200 h .而Phelps Dodge公司生产的具有三层漆膜的耐电晕漆包线,漆膜中至少有一层采用纳米TiO 与耐高温聚合物的复合材料,使漆包线的耐电晕性能提高了100倍。

      自从Kapton 100CR薄膜投放市场以来,对采用纳米杂化的办法来提高聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能一直是国内的研究热点,但至今未见取得实质性的突破.近年来,国内有多家厂家相继研制耐电晕聚酰亚胺薄膜并开始尝试着产业化,其电气性能优越、尺寸稳定,同时具备自粘性,但耐电晕性能仍低于杜邦公司的产品水平 .其问题表面上主要表现在掺杂量不高,跟杜邦公司存在一定的差距,还有就是随掺杂量的增加而产生的力学性能和透光性的下降等.究其根源是没能够找到合理的耐电晕结构模型,而且未能研究出合理的无机纳米氧化物的制备方法。

      目前有很多关于无机氧化物粒子改性PI以提高其耐电晕性能的研究,其中包括研究无机粒子的种类、结构、合成方法、无机粒子杂化聚合物的制备方法等。

      经过原位聚合的方法制备出纳米TiO:粒子均匀分散的聚酰亚胺/纳米TiO 复合杂化膜,研究了不同掺杂含量对杂化膜的耐电晕特性的影响.结果表明,TiO 的引入对杂化膜的介电常数、介质损耗因数、电气强度和耐电晕性能产生了很大的影响,随着TiO,含量的增加,耐电晕性能得到大幅度的提高.分析实验结果得到:在高耐热性绝缘材料中均匀分散一定量的纳米无机粒子,可以改善绝缘材料抗高频脉冲尖峰电压和耐电晕等方面的性能.但是长春应化所丁孟贤的实验结果表明,纳米TiO 杂化聚酰亚胺薄膜的体积电阻较未掺杂之前大幅度下降。

      综合以上文献可以看出,目前对纳米杂化聚酰亚胺并改善其耐电晕性能的研究状态还基本停留在追求高掺杂量、粒子尺寸以及较好的相容性等方面,而忽略了纳米粒子的理化结构对材料内电场的影响,以及由此引起的带电粒子电输运过程的改变,恰恰是这些改变会对材料的耐电晕老化机理产生决定性的影响.

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