代表性的集成电路有衬底为硅单晶的双极性Ic以及MOS IC(金属一氧化物一半导体堆)等半导体集成电路。本节中将要讨论以超高集成化(VLSI)和超高速化为方向而开发的这些半导体集成电路中绝缘膜所起的作用，以及伴随着超I.SI化的发展，今后将提出什么样的绝缘膜技术等。
半导体集成电路是在一个单晶基片上形成非常多的(已达10s元件／芯片)双极晶体管和MOS晶体管等器件，为了发挥各自所定的功能，并用布线互相连结起来。
在这种半导体集成电路中，对绝缘薄膜的利用，可根据其作用和所要求的特性以及在膜形成工艺中所提出的条件，分类如下：
①例如MOS晶体管中的栅绝缘膜，利用了绝缘膜／半导体界面现象，由此可实现有源器件的功能；
②和器件相接触，如覆盖在晶体表面的SiOz膜，可以使晶体表面的化学性质以及电学性质不活泼，从而达到稳定器件特性的目的；
③如在器件之间的晶体表面上形成的SiOz膜，使器件之间电气隔离并在表面上相互布线为目的的绝缘膜(场氧化膜)；
④布线层之间电气绝缘为目的的层间绝缘膜；
⑤从物理的和化学的角度保护器件为目的，在集成电路的表面上形成的作为表面覆盖膜的绝缘膜；
⑥用于集成电路工艺＼中，并用在杂质扩散、腐蚀、衬底表面氧化等进行局部工艺时的掩模等。
