常用来改性PI的无机粒子有纳米碳管、石墨、分子筛、纳米玻纤、二氧化硅粒子和蒙脱土等。制备PI纳米复合材料的方法主要有共混法和表面接枝聚合物法。目前用得较多、效果较好的是表面接枝聚合物法。
以均苯四甲酸二酐、二胺基二苯醚及纳米SiC颗粒为原料，制备了用于电子封装中的聚酰亚胺基复合介电材料，研究表明，纳米碳化硅小分子均匀分散在聚合物基体中，介电常数平均值为2．3，**达2．0，吸水性也较低。对6FDA／ODA(4，4 一二氨基二苯醚)聚酰亚胺和6FDA／ODA／APTEOS(^y一氨丙基三乙氧基硅氧烷)聚酰亚胺性能进行了研究，含氟聚酰亚胺的介电性能很好，当硅含量为0．4 mol时介电常数减低到2．4，当硅含量为0．8 tool时介电常数降低到2．2，并且硅的引入提高了含氟聚酰亚胺的热性能。王晓峰等通过热引发甲基丙烯酸环戊基一立方低聚倍半硅氧烷(R7R Si。O。：或POSS)(MA．POSS)与臭氧预处理的含氟聚酰亚胺(6F—Durene)自由基接枝共聚制得6F—Durene共价接枝包含POSS的聚甲基丙烯酸酯(PMA)支链的纳米复合物，POSS／6F．Du．rene纳米复合物薄膜与未接枝的6F-Durene薄膜相比具有更低的介电常数(2．0～2．5)。
Huang等将POSS外围官能团改性，使其含有8个一NH，，将改性的POSS与4，4 一二氨基二苯基甲烷／六氟二酐聚酰胺酸(PAA)溶液共聚，制备了网状交联的PI／POSS杂化材料，介电常数降至2．5，同时机械性能大幅提高，耐湿性也提高一倍。Lin等 利用原位分散聚合法制备了PI／介孔分子筛复合薄膜，获得介电常数分别为2．73(3．0％(w)SBA一15)和2．61(7．0％(W)SBA一16)PI复合薄膜，同时还发现，力学性能、热稳定性都得到了不同程度的提高。Zhang等利用原位插层法制备了PI／粘土纳米薄膜，130℃下介电常数小于2．75，介电损耗为0.005。Chen等在聚酰亚胺链段上接枝连有多面体齐聚倍半硅氧烷(MA-POSS)的甲基丙稀酸，形成PI／MA—POSS纳米杂化材料，MA-POSS含量达到23．5％时，介电常数降至2．21。
聚酰亚胺无机杂化材料，其介电常数低，同时具有高的强度和低的吸水率，可作为优异的低介电常数绝缘材料使用。由于纳米材料的特殊性能，有些无机纳米填料界面处产生的极化对电场的响应比常规有机填料内部发生的极化要敏锐的多，量子效应对复合材料极化机制也有影响，因此在聚合物基无机杂化复合材料领域还有许多问题需要解决。
